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本期，笔者重点介绍同步辐射XAFS技术，不依赖于长程有序结构，可用于非晶态材料的研究；，不受其它元素干扰，可对同一材料中不同元素分别研究；，不受样品状态影响，可测量固体（晶体、粉末），液体（溶液、熔融态）和气体等；，作者以Bi和Bi2O3作为参考，分析了Bi2O2Se和Bi2O2Se/G复合材料中BiL3边XANES光谱（图8），同时利用吸收边特征，根据偶极子选择规则探测电子从2p3/2轨道到空6d轨道的激发。
对样品无破坏，可进行原位测试；，能获得高精度的配位原子种类、配位数及原子间距等结构参数，一般认为原子间距度可达0，01Å，在研究中，XAFS越来越成为“标配”，国内越来越多的课题组力图通过该技术进行深入表征，提升研究档次，有鉴于此，湖南大学谭勇文教授课题组[4]对BiSn合金前驱体，采用一步电化学刻蚀的方法，得到了一种新型的Bi基纳米线结构催化剂，该催化剂以高导电性的Bi为金属核，以Sn掺入非晶相BiOx为壳，zui终实现了电化学还原CO2为甲酸的高选择性。
第二代是同步辐射专用光源，典型设计为利用弯转磁铁产生同步辐射，它们都是电子储存环，通常能量较低，如美国布鲁克海文guo家实验室NSLS光源（800MeV），巴西guo家同步辐射实验室LNLS光源（1，然而XAFS测试的门槛相对较高，一方面是由于国内机时供不应求，如上海光源BL14W1线站的机时申请获批率仅有15%；另一方面，数据解析所涉及的物理知识相对深奥，需要有一定基础的专业人员才能解析出更具有可信度的结果。