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全谱分析一般用来说明样品中是否存在某种元素，这是因为能级之间的差距太小，用小通能测XPS可以得到两个分裂峰，但是用高通能的时候发现只有一个峰了，P、Al也是如此，四川XPS的很小分辨一般在0，5eV以上，因此分辨不出来，看起来只有一个峰了，这个时候可以用两个峰，也可以用一个峰来进行拟合，答：不是，如果本身的碳材料是sp2，那就要校正到284eV，且拟合时要增加不对称参数，氧化石墨烯，掺杂石墨烯等常在284~284。
针对上述复杂图谱，常规拟合方法较难取得好的拟合效果，而采用Avantage软件中独有的NLLSF拟合功能可得到较好的拟合结果，下面我们来讲解一下如何进行拟合，例如，对于此电容器样品，要想进行NLLFS拟合，我们需要获得纯Co(OH)2的窄扫参考谱图，即没有Ni(OH)2俄歇峰干扰的谱图；Ni(OH)2在Co元素结合能范围段（770~820ev）的俄歇参考谱图，即不含Co(OH)2干扰的谱图，如下图2。
当用XPS测量绝缘体或者半导体时，由于光电子的连续发射而得不到电子补充，使得样品表面出现电子亏损，这种现象称为“荷电效应”，荷电效应将使样品表面出现一稳定的电势Vs，对电子的逃离有一定束缚作用，因此荷电效应将引起能量的位移，使得测量的结合能偏离真实值，造成测试结果的偏差，高分辨谱经过分峰拟合之后，就可以用来确定元素的化学态了，或者通过反应前后样品的高分辨谱图对比来得到其表面电子结构的变化信息等等。